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出台(d)器件的保留特性曲线。电阻式随机存取存储器（RRAM）、高品高不公贷磁性随机存取存储器（MRAM）、高品高不公贷相变存储器（PCM）等新型NVM应用而生，表现出了永久性存储和读写速度快等优点，其中，忆阻器通过开关电阻状态来实现信息存储和输出，而纳米级尺寸使得其有可能用于高密度和大规模集成。

图4. Ag/MoS2/Ag/MoS2/Ag忆阻器的基本特性(a-c)Ag/MoS2/Ag/MoS2/Ag忆阻器图示(a)及其室温I-V曲线(b)，质住宅开(c)为其对数坐标下的I-V曲线。发建(d)导电细丝的断裂过程。导意图9. GaSe基忆阻器的基本特性(a,b)Ag/GaSe/Ag器件的I-V曲线及50次数据循环曲线。

见层(e)聚合物辅助剥离MoS2图示及其I-V曲线。(c，小于d)线性及非线性导通态MLG/TaOy/Ta2O5–x/MLG器件的双极RS特性曲线。

长期从事低维材料光电器件相关研究，额度以通讯作者发表中科院一区论文超过100篇，包括PhysicsReports2篇、PNAS1篇、ScienceAdvance2篇、NatureCommunications6篇等。

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